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东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

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发表时间:2022-04-07 17:13

  东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了150V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”。该产品采用很新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。

    TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡(*2)和两个电荷特性(*3),实现了优异的低损耗特点。此外,开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低,有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择,分别为:SOP Advance和SOP Advance (N),后一种更受欢迎。
    东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE型号外,现在还推出了高精度的G2 SPICE型号,可以准确地再现瞬态特性。
    东芝将扩大其功率MOSFET产品阵容,通过减少损耗来提高设备的供电效率,帮助降低功耗。
    注:
    (*1) 截至2022年3月的东芝调查。
    (*2) 与目前的产品TPH1500CNH(U-MOSVIII-H系列)相比,该产品的漏源极导通电阻x栅极开关电荷提高了大约20%,漏源极导通电阻x输出电荷提高了大约28%。
    (*3) 栅极开关电荷和输出电荷
    应用领域
      通信设备的电源
       开关电源(高效直流-直流转换器等)
    特点
       优异的低损耗特性。
    (在导通电阻和栅极开关电荷与输出电荷之间进行权衡)
     低导通电阻:RDS(ON)=9.0milliohms(很大)@VGS=10V
    通道温度额定值高:Tch(很大)=175C


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