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中国半导体自主之路仍然漫长

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发表时间:2021-08-19 19:22

近年来,由于中美贸易战及科技战的持续,中国大陆正在倾全国之力发展自主半导体产业,但是在光刻机等关键的半导体设备上,仍严重的受制于人,自主之路仍然困难重重。

近年来,由于中美贸易战及科技战的持续,中国大陆正在倾全国之力发展自主半导体产业,但是在光刻机等关键的半导体设备上,仍严重的受制于人,自主之路仍然困难重重。

以半导体制造所必须的光刻机来说,目前主要分为DUV 和EUV 光刻机。DUV 一般用于7nm及以上制程的芯片生产,而EUV 则主要用于7nm及以下尖端制程芯片的生产。目前全球生产EUV光刻机的厂商也只有荷兰的艾司摩尔(ASML) 一家。想生产7 nm以下先进制程芯片,就必须有ASML 的EUV光刻机。目前,由于美国方面的阻挠,中国大陆企业仍无法购买EUV光刻机。

资料显示,在半导体制造过程中成本占比比最高的设备,分别是光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备和过程检测设备,这四类设备约占所有生产线设备成本的74%。其中,光刻机比重约21%、薄膜沉积类设备占比22%、刻蚀设备占比20%、过程检测设备占比11%。目前这4类设备,中国大陆国产化比例都相对较低,其中光刻设备低于1%,过程检测设备约2%,刻蚀类设备约7%,薄膜沉积类设备约8%。

除了晶片制造设备,还有更重要的材料部分,现阶段大陆也相当依赖国外进口。以中芯国际最新14nm制程来说,部分材料甚至100% 依赖进口,以ArF光刻胶为例,国内目前几乎都依赖于进口,而EUV光刻胶更是没有突破。

报导强调,即便中国厂商能拿到先进制程设备材料,但最后是否成功的关键,还是取决于芯片制造技术。并不是有设备、材料就一定顺利进入7nm以下先进制程。如果只有设备材料就能跨过门槛,那么格罗方德、联电等厂商早就追上台积电,但最后还是放弃,可见越尖端先进制程芯片制造技术门槛也越高,同时良率的提升也越困难。


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