本文核心数据：中国半导体光刻胶市场格局，中国半导体光刻胶市场规模，本土半导体光刻胶企业产能情况等。
1、半导体光刻胶随集成电路线宽的缩小而演变
光刻胶按下游应用分类，可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。在集成电路制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40%-50%，占制造成本的30%。
半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)的方向转移，演进路线如下：
2、国内市场规模稳步增长、ArF胶和KrF胶是主流
当前，中国已是全球最大半导体消费国家，2020年市场规模占全球比重为34.5%，光刻胶作为半导体制造的核心材料之一，对半导体光刻胶的需求也不断增长。据美国半导体协会的数据显示，在此之中中国半导体光刻胶市场从2015年的1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元，同比增长约为40%。
从我国半导体光刻胶的市场结构来看，2020年，ArF光刻胶占比40%;KrF光刻胶占比39%;G/I线光刻胶占比20%。
3、中国半导体光刻胶需求主要由外企满足
半导体光刻胶属于光刻胶高端产品，受技术限制，当前，我国半导体光刻胶需求主要由外资企业来满足，2020年，外资企业的市场份额达71%。
从不同光刻胶产品的自给率来看，目前适用于6英寸硅片的g线、i线光刻胶的自给率约为20%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口，光刻胶国产化任重道远。
4、本土企业可量产i/g胶、KrF胶
由于半导体光刻胶的技术壁垒较高，我国布局相关技术的本土企业较少。其中，北京科华、上海新阳和徐州博康均布局了i/g line胶、KrF胶和ArF胶技术，但暂未有1家企业布局EUV胶技术：
从本土企业的产能情况来看，截至2021年上半年末，可量产i/g line胶的企业包括北京科华、晶瑞电材;可量产KrF的企业有北京科华;而其余产品目前基本无可量产的企业：
从领先企业的产能情况来看，目前，我国有北京科华、晶瑞电材等企业可实现半导体光刻胶的量产，其中，
此外，在本土企业中，北京科华是唯一被Semicon列入全球光刻胶八强的中国光刻胶公司，2020年北京科华光刻胶销售8928万元，是中国销售额最高的光刻胶公司。其中，公司的i线光刻胶产品销售额5495万元，占中国i线光刻胶销售额的16.7%;KrF(248nm)光刻胶销售286万元，是唯一可以批量供应KrF光刻胶给8寸和12寸客户的本土光刻胶公司。
5、国内晶圆厂产能不断扩张、光刻胶国产化进程任重而道远
晶圆厂产能扩张是半导体光刻胶需求增长核心驱动力。根据SEMI的统计数据，中国大陆晶圆厂产能市场份额从1995年1.7%提升至2020年22.8%，成为第一大晶圆生产国。而据预测，2021-2022年，中国将有另8座晶圆厂开工建设，占全球比例近1/3。
在现有8寸和12寸晶圆产线中，90-14nm产能占比最大增速最高，而在晶圆厂新建生产线中以90-28nm制程节点为主，能够应用于该制程的光刻胶为ArF胶，但目前，我国仅有少数企业成功研发了ArF胶，暂无可量产ArF胶的企业。
可见，未来几年，随着国内晶圆厂产能扩张和集中建设，国内半导体光刻胶需求仍将快速增长，但目前，本土企业的技术研发仍待突破，国产化进程任重而道远。
以上数据参考前瞻产业研究院《中国光刻胶行业市场前瞻与投资规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、招股说明书撰写等解决方案。
延伸知识点
什么是半导体光刻胶？
光刻中采用的感光物质被称为光刻胶，主要分为正光刻胶和负光刻胶两种。正光刻胶未被光照的部分在显影后会被保留，而负光刻胶被感光的部分在显影后会被保留。光刻胶不仅需要对指定的光照敏感，还需要在之后的金属刻蚀等过程中保持性质稳定。不同的光刻胶一般具有不同的感光性质，有些对所有紫外线光谱感光，有些只对特定的光谱感光，也有些对X射线或者对电子束感光。光刻胶需要保存在特殊的遮光器皿中。
半导体光刻步骤：
1.衬底的准备
在涂抹光刻胶之前，硅衬底一般需要进行预处理。一般情况下，衬底表面上的水分需要蒸发掉，这一步通过脱水烘焙来完成。此外，为了提高光刻胶在衬底表面的附着能力，还会在衬底表面涂抹化合物。目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷（hexa-methyl-disilazane, HMDS）、三甲基甲硅烷基二乙胺（tri-methyl-silyl-diethyl-amime, TMSDEA）等。
2.光刻胶的涂抹
在这一步中，需要将光刻胶均匀、平整地分布在衬底表面上。
首先，将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连。由于大气压力的作用，硅片可以被“吸附”在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤：
▪ 将光刻胶溶液喷洒在硅片表面；
▪ 加速旋转托盘（硅片），直到达到所需的旋转速度；
▪ 达到所需的旋转速度之后，以这一速度保持一段时间。以旋转的托盘为参考系，光刻胶在随之旋转受到离心力，使得光刻胶向着硅片外 围移动，故涂胶也可以被称作甩胶。经过甩胶之后，留在硅片表面的光刻胶不足原有的1%。
3.软烘干
完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。
在液态的光刻胶中，溶剂成分占65%－85%。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10%－30%的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5%左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。
在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10%－20%左右。
4.曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
5.显影
通过在曝光过程结束后加入显影液，正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区，会溶解于显影液中。这一步完成后，光刻胶层中的图形就可以显现出来。为了提高分辨率，几乎每一种光刻胶都有专门的显影液，以保证高质量的显影效果。
6.硬烘干
光刻胶显影完成后，图形就基本确定，不过还需要使光刻胶的性质更为稳定。硬烘干可以达到这个目的，这一步骤也被称为坚膜。在这过程中，利用高温处理，可以除去光刻胶中剩余的溶剂、增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在随后刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性能力。另外，高温下光刻胶将软化，形成类似玻璃体在高温下的熔融状态。这会使光刻胶表面在表面张力作用下圆滑化，并使光刻胶层中的缺陷（如针 孔）减少，这样修正光刻胶图形的边缘轮廓。
7.刻蚀或离子注入
主条目：刻蚀和离子注入。
8.光刻胶的去除
这一步骤简称去胶。刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去。去胶的方法分类如下：
▪ 湿法去胶；
▪ 有机溶剂去胶：利用有机溶剂除去光刻胶；
▪ 无机溶剂：通过使用一些无机溶剂，将光刻胶这种有机物中的碳元素氧化为二氧化碳，进而而将其除去；
干法去胶：利用等离子体将光刻胶剥除。
除了这些主要的工艺以外，还经常采用一些辅助过程，比如进行大面积的均匀腐蚀来减小衬底的厚度，或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时，一个衬底需要多次重复光刻。
来源：前瞻产业研究院,搜狗百科
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